Επισκόπηση προϊόντος

Οι μηχανές Reactive Ion Etching (RIE) είναι εργαλεία ξηρής χάραξης υψηλής απόδοσης-με βάση την τεχνολογία εκφόρτισης ραδιοσυχνοτήτων. Το βασικό τους κόλπο; Συνδυασμός φυσικού βομβαρδισμού με χημικές αντιδράσεις για την ακριβή απομάκρυνση των υλικών-στόχων-χωρίς φασαρία, μόνο ακρίβεια.

Ταιριάζουν τέλεια σε ολόκληρη τη ροή εργασιών της βιομηχανίας ημιαγωγών, από την Ε&Α έως την παραγωγή πλήρους κλίμακας-. Πυρίτιο, σύνθετοι ημιαγωγοί, όλα τα είδη διηλεκτρικών υλικών-όπως ονομάζετε το υπόστρωμα, μπορούν να το χαράξουν με ακρίβεια. Και είναι στο σπίτι σε βασικές διαδικασίες για την αιχμή-τεχνολογίας: ολοκληρωμένα κυκλώματα, οπτοηλεκτρονικές συσκευές, εξοπλισμός επικοινωνίας 5G, ακόμη και κβαντικά τσιπ.

Προσθέστε τον ψηφιακό έξυπνο έλεγχο και την αυτόματη ρύθμιση σταθερής πίεσης και θα έχετε σταθερή-επαναληψιμότητα διεργασιών και σταθερότητα χάραξης κάθε φορά. Είτε εκτελείτε μικρές-παρτίδες εργαστηριακών δοκιμών είτε παράγετε προϊόντα σε ένα εργοστάσιο, αυτά τα μηχανήματα προσαρμόζονται απρόσκοπτα. Χρειάζεστε επιπλέον απόδοση; Επιλέξτε τον θάλαμο φόρτωσης LOAD LOCK. Μειώνει την ατμοσφαιρική μόλυνση, επιταχύνει τη φόρτωση και διατηρεί το κενό του θαλάμου σφιχτό-για να δημιουργήσει ένα καθαρό, σταθερό περιβάλλον για χάραξη υψηλής-ακρίβειας. Κατώτατη γραμμή: βοηθά τους πελάτες να εξομαλύνουν τις τεχνικές παραμορφώσεις από την Ε&Α συσκευών μέχρι τη μαζική παραγωγή.

Εφαρμογές

Τα μηχανήματα RIE λάμπουν με ακριβή χάραξη και προσαρμοστικότητα πολλαπλών-υλικών-είναι ιδανικά-για Ε&Α και παραγωγή ημιαγωγών. Εδώ είναι που πραγματικά παραδίδουν:

1. Κατασκευή ενσωματωμένου κυκλώματος (IC): Εξαιρετικό για λογικά τσιπ και μνήμη (περιλαμβάνεται DRAM, NAND Flash). Καρφώνει τη χάραξη μικρο-σε-νανοκλίμακας σε υποστρώματα πυριτίου και πύλες πολυπυριτίου, διατηρώντας σταθερές τις δομές των κυκλωμάτων και την ηλεκτρική απόδοση.
2. Παραγωγή οπτοηλεκτρονικών συσκευών: Ταιριάζει ακριβώς στην κατασκευή LED και VCSEL. Χαράσσει ζαφείρι, υλικά με βάση το GaN-και διηλεκτρικά στρώματα SiO2 για να δημιουργήσει περιοχές εκπομπής φωτός-και δομές κυματοδηγών, αυξάνοντας την απόδοση φωτοηλεκτρικής μετατροπής.
3. 5Επεξεργασία συσκευής επικοινωνίας G: Ιδανική για εξοπλισμό RF 5G (φίλτρα, ενισχυτές ισχύος). Χαράσσει υποστρώματα GaAs, GaN και SiC για να δημιουργήσει δομές μικρο-υψηλών συχνοτήτων, διασφαλίζοντας ότι τα σήματα παραμένουν σταθερά ακόμη και κάτω από συνθήκες υψηλής-συχνότητας και υψηλής ισχύος-.
4. Προηγμένη Έρευνα Ημιαγωγών: Υποστηρίζει χαρακτικά χαμηλών-βλαβών για κβαντικά τσιπ (υπεραγώγιμα, τύπους κβαντικών κουκκίδων) και μικρο{2}}νανοεπεξεργασία αιχμής-υλικών όπως καρβίδιο του πυριτίου και υλικά 2D-ιδανικά για εξερεύνηση διεργασιών από ερευνητικά ιδρύματα.
5. MEMS και πεδίο αισθητήρα: Χειρίζεται συσκευές MEMS (επιταχυνσιόμετρα, μικροκάτοπτρα) και αισθητήρες ημιαγωγών. Χαράσσει διηλεκτρικά με βάση το πυρίτιο και το πυρίτιο- για να σχηματίσει τρισδιάστατες μικροδομές, διασφαλίζοντας σταθερή μηχανική απόδοση και ευαισθησία ανίχνευσης.

Φόντα

1.Ακρίβεια κορυφαίας-επιπέδου:

Η φυσική και η χημική χάραξη συνεργάζονται για να καρφώσουν μικρο-σε-ακρίβεια νανοκλίμακας-ακριβώς στο ίδιο επίπεδο με αυτό που απαιτεί η μικρο-νανοβιομηχανία.

2. Ευρεία συμβατότητα υλικού:

Παίζει ωραία με πυρίτιο, σύνθετους ημιαγωγούς, διηλεκτρικά και άλλα, καλύπτοντας τις ανάγκες επεξεργασίας σε όλα τα είδη πεδίων.

3. Υψηλή σταθερότητα:

Διαθέτει ψηφιακό έλεγχο θερμοκρασίας και σταθερή ρύθμιση πίεσης, διατηρώντας τις διαδικασίες συνεπείς και μειώνοντας τις ακατάστατες διακυμάνσεις.

4. Χαμηλή υλική ζημιά:

Διατηρεί τις βλάβες και τη μόλυνση του υποστρώματος στο ελάχιστο, έτσι ώστε οι αρχικές ιδιότητες των υλικών σας να παραμένουν ανέπαφες.

5. Μεγάλη ευελιξία:

Μπορείτε να επιλέξετε έναν θάλαμο LOAD LOCK και υποστηρίζουμε επίσης προσαρμοσμένες ρυθμίσεις για να ταιριάζουν σε οποιαδήποτε θήκη χρήσης έχετε.

Παράμετροι

Είδος	Ειδικοί Δείκτες
Εφαρμόσιμο μέγεθος γκοφρέτας	8 ιντσών και κάτω
Ρυθμός χάραξης	0,1-4μm/min (η ειδική τιμή εξαρτάται από τον τύπο του υλικό προς χάραξη και πραγματικές παράμετροι διεργασίας)
Ομοιομορφία χάραξης	±5% (με βάση τη γκοφρέτα 6 ιντσών, μέθοδος υπολογισμού: (Μέγιστη τιμή- Ελάχιστη τιμή)/(2xΜέση τιμή))
Μέθοδος Ψύξης Σταδίου Υποστρώματος	Υδροψύξη
Μέθοδος Ελέγχου	Πλήρης ψηφιακός αυτόματος έλεγχος
Έλεγχος πίεσης	Αυτόματη ρύθμιση σταθερής πίεσης (εξασφαλίζει τη διαδικασία σταθερότητα)
Προαιρετική διαμόρφωση	Θάλαμος φόρτωσης LOAD LOCK (μπορεί να μειώσει την ατμοσφαιρική ρύπανση, βελτίωση της απόδοσης φόρτωσης και του θαλάμου ικανότητα συγκράτησης στο κενό)