ICP Etcher

Διαθέτει υψηλή πυκνότητα πλάσματος (1011–1012 cm-3) για ταχύτερους ρυθμούς χάραξης (έως 10.000 Å/min) και διπλό ανεξάρτητο έλεγχο ραδιοσυχνοτήτων (πηγή + προκατάληψη), επιτρέποντας ακριβή συντονισμό της πυκνότητας πλάσματος και της ενέργειας ιόντων. Αυτό επιτυγχάνει ανώτερη ανισοτροπία, εξαιρετικά-φθορές σε χαμηλά ιόντα και ανομοιομορφία χάραξης-<±3%, outperforming traditional etchers in high-precision and complex process scenarios.

Υποστηρίζει επεξεργασία 4/6/8/12- ιντσών μονής-βάφρας ή πολλαπλών-wafer, με προσαρμόσιμα στάδια δειγμάτων για ειδικά υποστρώματα. Τα υλικά που καλύπτονται περιλαμβάνουν με βάση το Si (Si/SiO2/SiN2/SiC), σύνθετους ημιαγωγούς (GaN/GaAs/InP/Ga2O3), υλικά 2D (γραφένιο/MoS2/BN), μέταλλα (W/Ta/Mo), διαμάντι και πολυμερή.

Ναι, προσφέρει ευέλικτες διαμορφώσεις: προαιρετικό Open-Load/Load-Κλείδωμα χειρισμού δειγμάτων, 4–8 επεκτάσιμες γραμμές αερίου, προσαρμόσιμα εύρη ισχύος RF, -έλεγχος θερμοκρασίας σταδίου πλακιδίων 70 μοιρών έως 200 μοιρών και προσθήκη-όπως σε{{9}παρακολούθηση σημείου για OES τελικού σημείου. Διατίθενται κατασκευές με γνώμονα το κόστος ή την απόδοση για να ανταποκρίνονται στις απαιτήσεις έρευνας ή μαζικής παραγωγής.

Επιτυγχάνει αναλογίες διαστάσεων έως 30:1, επιλεκτικότητα (π.χ. SiO2/Si) έως 150:1 και κλίση πλευρικού τοιχώματος μεγαλύτερη ή ίση με 89 μοίρες, καθιστώντας το ιδανικό για χάραξη δομών υψηλών αναλογιών σε MEMS, TSV και προηγμένες συσκευές ημιconductor.

Είναι εξοπλισμένο με συνδυασμό στροβιλομοριακής αντλίας TMP + μηχανικής αντλίας, που επιτυγχάνει βασική πίεση μικρότερη ή ίση με 5×10-7 Torr και ακριβή έλεγχο πίεσης διεργασίας (1–1000 mTorr μέσω MFC), εξασφαλίζοντας σταθερή σταθερότητα πλάσματος και ποιότητα χάραξης.

Ναι, προσφέρει μια προαιρετική λειτουργία πλάσματος χαμηλής-προκατάληψης που ελαχιστοποιεί τη ζημιά από βομβαρδισμό ιόντων, καθιστώντας την συμβατή με δισδιάστατα υλικά, εύθραυστες οπτοηλεκτρονικές συσκευές και ημιαγωγούς υψηλής-απόδοσης που απαιτούν διατήρηση της ακεραιότητας της επιφάνειας.

Χρησιμοποιείται ευρέως στην κατασκευή ημιαγωγών/IC (διαμόρφωση τρανζίστορ, χάραξη TSV), σύνθετες συσκευές ημιαγωγών (ηλεκτρονικά ισχύος GaN, λέιζερ LED), MEMS/microfluidics, έρευνα υλικού 2D και επεξεργασία βιοϊατρικών συσκευών (τροποποίηση επιφάνειας εμφυτεύματος).

Ο συμπαγής ενσωματωμένος σχεδιασμός έχει αποτύπωμα ~1,0m×1,5m. Οι απαιτήσεις του βοηθητικού προγράμματος περιλαμβάνουν τυπική τροφοδοσία ρεύματος, νερό ψύξης, καθαρό ξηρό αέρα και σύστημα εξάτμισης-οι λεπτομερείς προδιαγραφές παρέχονται στον προ{4}}οδηγό εγκατάστασης για την προετοιμασία της τοποθεσίας.

Προσφέρουμε-εγκατάσταση, θέση σε λειτουργία και εξατομικευμένη εκπαίδευση διαδικασιών. Μια παγκόσμια ομάδα τεχνικής υποστήριξης παρέχει 24/7 απομακρυσμένη βοήθεια, με προμήθεια ανταλλακτικών και τακτικές υπηρεσίες συντήρησης για την ελαχιστοποίηση του χρόνου διακοπής λειτουργίας.

Παρέχει δύο προσανατολισμούς διαμόρφωσης:-κατασκευές προσανατολισμένες στο κόστος με βασικά βασικά εξαρτήματα για εργαστηριακή έρευνα και επιλογές προσανατολισμένες στην απόδοση-(υψηλής-ραδιοσυχνότητας ραδιοσυχνοτήτων, προηγμένες μονάδες παρακολούθησης) για βιομηχανική μαζική παραγωγή-διασφάλιση βέλτιστου κόστους{4}}αποτελεσματικότητας για διαφορετικές ανάγκες των χρηστών.